磁路第一定律通过磁路中任一结点的磁通的代数和为零。图2中的磁路有两个分支点a和b。通常将磁路的分支点称为结点，进入结点的磁通为正，离开结点的磁通为负。在结点a处作一封闭曲面S，根据磁通的连续性原理得Φ=0，它表达了磁路结点上各支路磁通之间的关系。这个定律是由磁感应线的性质所决定的，磁感应线是封闭曲线，无头无尾，因此，磁路第一定律又称磁通连续定律，也称基尔霍夫第一定律。它阐明磁路中磁通量是守恒的，在磁路计算中起重要作用。

　　磁路第二定律磁路中的任一回路，其磁势的代数和等于各段磁位降的代数和。图2中由l1和l3组成的闭合回路，如果取它们的中心线为闭合回线，按顺时针绕行，应用全电流定律，则有N1I1=H1l1H3l3。再取l1和l2所组成的闭合磁路，沿磁路中心线，仍按顺时针绕行，应用全电流定律，则有N1I1-N2I2=H1l1-H2l2。对于闭合回路，磁路第二定律实质上是全电流定律，而对磁路中的某一段而言，它就是磁路欧姆定律，磁路第二定律，也称基尔霍夫第二定律。它是磁路计算的重要依据。应用磁路第二定律时，各磁势和磁位降方向的确定方法为：任意选取回路的绕行方向。磁通方向和绕行方向一致时，该段的磁位降为正，反之为负;线圈中电流的方向和绕行方向符合右手螺旋定则时，线圈的磁势为正，反之为负。

　　磁场强度沿闭合路径的线积分，又称磁动势。在许多电工装置中，磁通量由线圈中的电流产生。根据安培环路定理，磁场强度沿闭合路径的线积分，等于套着该路径的线圈中电流I和线圈匝数N的乘积NI。因此在电机工程中，沿着闭合路径的磁通势用乘积NI定义。闭合路径上的磁通势的方向，和线圈中电流的方向，应符合右手螺旋规则。若线圈不止一个，磁通势等于每个线圈的NI的代数和。在国际单位制（SI）中，磁通势的单位是安培（A）。工程上又用安培匝作为磁通势的单位。

　　不少人误以为剩磁是剩余磁通密度的缩写，两者含义相同。其实，这是一种错误的认识，因为，两者具有不同的物理意义，不可以混淆！在铁芯中，由于磁滞作用的影响，铁芯的磁感应强度B滞后于磁场强度H。当磁场强度H足...

　　如果你把I1看作是带负荷后的一次线圈中的总电流，那么主磁通就是I1中的激磁电流部分I0所产生的。 实际上不管有没有负载（I2），只要有一次电压U1，I0都存在，也就是说主磁通都存在，跟I2和I1中负载...

　　变压器励磁电流、磁通和电势波形 （1）励磁电流和磁通波形关系 变压器中的电势 ep由磁通变化 (d Φ /dt) 引起，当 Φ 为正弦时， e p 为相位上滞后 Φ90 度的正弦函数；若 Φ 非正弦时， ep 将发生畸变， 这是应当避免的。下面讨论如何获得正弦 Φ。 励磁电流 i m产生磁势 Fm，Fm在铁心中产生磁通 Φ。Φ 的波形由 i m的波形决定。 当磁路不饱和时， Φ 和 i m是直线关系。即正弦的 Φ 由正弦 i m产生。 当磁路饱和时， Φ 和 i m是不再是直线关系。正弦的 i m无法产生正弦的 Φ，只能产生 平顶的 Φ。 正弦的 Φ 必须由尖顶的 i m产生。 尖顶的 i m中除了基波分量 i 01 外，还有较大的 3 次谐波分量 i 03 等。 结论： 不饱和时，正弦的 Φ 由正弦 i m产生。饱和时，正弦的 Φ 必须由尖顶的 i m产生。如果 i m仍 为正弦，则产生

　　设计和制作了一种双轴微磁通门传感器。这种微型传感器为螺线管型,磁芯设计为矩形环状闭合结构,磁芯每条边上均绕有激励线圈和检测线圈,保证传感器能够同时检测X轴和Y轴两个方向上的弱磁场。采用了MEMS技术制作微型传感器,其中磁芯用电镀的方法获得,材料为N i0.8Fe0.2坡莫合金,厚度5μm。制作出的微型传感器的尺寸为7×7mm2,单元内部最小线μm。检测了线圈的电气导通性,测得电阻值为110欧姆。该微型传感器能够检测弱磁场,因此可用于航天、医学和军事等领域。

　　设在磁感应强度为B的匀强磁场中，有一个面积为S且与磁场方向垂直的平面，磁感应强度B与面积S的乘积，叫做穿过这个平面的磁通量，简称磁通（Magnetic Flux）。标量，符号“Φ”。

　　在一般情况下，磁通量是通过磁场在曲面面积上的积分定义的。其中，Φ为磁通量，B为磁感应强度，S为曲面，B·dS为点积，dS为无穷小矢量（见曲面积分）。磁通量通常通过通量计进行测量。通量计包括测量线圈以及估计测量线圈上电压变化的电路，从而计算磁通量。